作者Schmidt ()
看板ChemEng
标题[问题] 请问TOF-SIMS跟一般的SIMS
时间Sun May 16 13:50:22 2010
想请教各位先进，
就我的印象中TOF-SIMS跟一般的SIMS分别在於碎片收集的过程，
而不是信号产生的过程，但是这几天看到学长的研究报告里面
却引述说TOF分析的深度在表面30A以内，而一般的SIMS范围却
可以广到表面5-600A。
我想问为什麽同样用离子枪大出来的分析深度可已有这麽大的
差距？
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