作者leox243 (LEOX)
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标题[问题] 矽奈米线的PL光谱
时间Tue Nov 2 22:12:09 2010
最近做了一阵子的无电蚀刻矽奈米线(材料是P-type (100) Si 1~3 Ohm/cm)
想把矽奈米线的PL光谱量出来，不过遇到了点问题，不知道各位有没有甚麽见解
目前可以量PL的机器有两台，一台是南部NDL的 JASCO FP-6600
这台光源是可变的，用150W的Xe灯和单光器分光
量出来的PL光谱在600nm处有很强的讯号
另一台是南微的微拉曼/微PL，用325nm He-Cd雷射当光源
这台在350~650nm中间一点讯号都量不到
两边差异很大，两边都各有人说量出来(其他材料)和PAPER比是差不多的 囧rz
目前和另一位先进讨论(在这边要再感谢一次那位先进)，
他那边的意见是觉得矽奈米线的讯号应该还是在1.12ev的位置
(有另外一位学长也持一样意见)
不过查到的论文如
http://prb.aps.org/abstract/PRB/v82/i12/e125446
及
http://ppt.cc/LhK9
一篇显示在1.5ev，一篇显示在650nm左右有讯号(都颇强)
让我不禁一个头两个大
上来问问各位版友是否有甚麽看法
(叹，这学期成大材料所没开PL的光谱学...不然我就去修了)
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只有酸民才是永远的反对党
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※ 发信站: 批踢踢实业坊(ptt.cc)
◆ From: 114.47.165.11
1F：→ twc319:雷射光倍频 11/03 13:24
倍频问题应该可以跳过，我有特地注意
2F：→ twc319:Intensity 20几乎可以当杂讯了？？ 11/03 13:43
不明白意思，是否可以多说一点，感谢
※ 编辑: leox243 来自: 140.116.243.66 (11/03 21:14)
3F：→ twc319:第二篇的PL强度过低 可以忽略 11/04 19:38