作者h888512 (理论型嘴炮)
看板ChemEng
标题[问题] 物冶的界面问题
时间Mon Feb 14 19:12:08 2011
我想问diffuse-controlled和interface-controlled这两种生长方式
diffuse-controlled(作者以不整合界面为例)是因为interface mobility大
mobility大是因为原子经界面扩散所需的energy barrier小吗?
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然後课本上又说这种扩散他的Δμ 小(代表界面两边的chemical potential差不多)
这是为啥呢??
第二个问题是interface-controlled
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因为mobility小，所以Δμ 要大，所以界面的组成要偏离平衡状态较多才有驱动力
但是後面课本又说
i
Δμ = RTln(Xi/Xe) = RT(Xi-Xe)/Xe,这时Xi-Xe远小於Xe
但是前面明明就说要偏离平衡状态较多才有驱动力,感觉前後矛盾了
第三个问题是interface-controlled
为何界面移动,但是两边的浓度可以不改变,它不是也需要经由界面短程扩散吗...
以上三个问题,请各位帮我解答 谢谢!!
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