※ 引述《Harki (Brin)》之铭言： : 请问各位 : PL (photoluminescence 光激发光) : 可以藉其分析材料的能隙 : 而一般看别人都是使用 UV-vis 测後得其波长 : 再使用 E = 1240/λ : 想请问 这两者的差异!? : 为何仪器介绍上都说 可以检测材料的能隙!? : 谢谢!!! 就之前做固态材料的"经验" 曾利用两种量测"半导体"能隙的方法 1. UV-vis 量测固态粉末全反射光谱(必备积分球)经由换算可得，非一般UV方法获得 (1-R)^2/2R...好像吧~有点忘了~ 缺点：能隙太小看不到(<1eV)，要改用IR全反射... 不同paper有不同外插方式，我到毕业还是没弄清楚哪种才正确... 另一派人马会把粉末均匀分散於液体，再测吸收光谱...(有读过但不熟) 2. Temp v.s conductivity 量测温度(ln 1/T)与导电度之关系，画出的曲线套入固定公式(年代久远有点忘了) 可以求得Ea(活化能) 至於算的准不准则见仁见智，说准跟说不准的两方人马都有自己的一套说词~ 固态理论计算能隙，有些软体是预设0度K温度下计算，能隙应该会比实际值大些 这部分也是看图说故事，如果量测出的能隙跟理论不符，又是想一套说词解释... 解释合理的话，别人也不会太刁难，毕竟软体计算的基础各不相同 PL没使用过... 分享一下以前实验心得~ --

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