作者alittleduck (找寻梦想中...)
看板ChemEng
标题[制程] 请问TI/TIN去除蚀刻率主要是由哪个影响较高?
时间Wed Aug 31 20:56:56 2011
想问一个制程上的问题...
我雇的酸曹蚀刻率突然偏高好一阵子...
主要是测量wafer上的TI/TIN去除率(film为TI/TIN)
过的槽为NH4OH+H2O2+H2O (SC1)
请问蚀刻率偏高, 是哪个影响较大@@"?
到底是H2O2影响大还是NH4OH???
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1F：推 powereva:H2O2氧化 会加速反应 11/09 17:19