作者pymax ( )
看板ChemEng
标题[问题] 关於氮化镓缺陷密度EPD分析
时间Wed Jul 24 16:35:01 2013
小弟的磊晶完的试片是在sapphire上长一层u-GaN和n-GaN
想依照文献做法做Etch pit density的分析
很多资料都是将试片泡在160度的磷酸6分钟左右
但我泡出来用AFM检视的结果表面却是平整
并没有出现缺陷孔洞
小弟试着提高温度与蚀刻时间却还是没有结果
不知道有没有做过这方面研究的前辈知道有可能是哪里出错了吗?
感谢!!
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◆ From: 140.114.19.92
1F：推 heats:硫酸磷酸3:1 试试看 140.115.55.244 07/25 19:11