作者Harki (Brin)
看板Chemistry
标题[学习] 请教paper中一段话的内容!?
时间Wed Sep 14 21:26:52 2011
各位板有 大家好
日前 看了一篇理论计算的paper
[PHYSICAL REVIEW B, VOLUME 65, 174117]
[Vacancy and interstitial defects in hafnia]
这篇内容许多的理论计算
对於其中有些部份 实在不是很了解它真正的意思
[The formation of a vacancy introduces a new
double-occupied one-electron level in the band gap situated
at 2.8 eV and 2.3 eV above the top of the valence band for
V3 and V4, respectively.]
请问各位 这段所要表达的是!?
在valence band 之上 形成 2.8 eV(V3) & 2.3eV(V4) 这两个新的能阶?!
是这样吗!?!?
其中 [double-occupied one-electron level]
指的是?!
对於这部份 一直想不出来如何解释!?!!
希望各位能给一点意见!!!
谢谢各位!!!
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※ 发信站: 批踢踢实业坊(ptt.cc)
◆ From: 175.182.52.80
1F：推 h888512:一般而言band gap不会有allowed state 有vacancy後gap里 09/14 21:34
2F：→ h888512:就有allowed state 09/14 21:34
3F：→ Harki:是的! 因为在HfO2结构中有O空缺所以会在VB和CB间行成次能阶! 09/14 21:37
4F：→ Harki:只是目前对於double-occupied~~~这一段 不是很明白它的意思! 09/14 21:38
5F：→ Harki:还请各位能多给一点意见! 也谢谢h888512大喔!!! 09/14 21:38
6F：推 fauna:指的应该是一个能阶填了两个电子吧 09/15 11:41
7F：→ Harki:我也这麽觉得! 只是boss怕会错意! so~才要查清楚! 09/15 12:46