作者coyoyo (yoyo)
看板Chemistry
标题[问题] Si doping As TMAH ecthing rate
时间Mon Dec 15 13:07:39 2014
已经在很多文献上看到
Si 掺杂Boron 可降低TMAH 蚀刻率
因而能当作 蚀刻终止层
好奇
若掺杂物改成Arsenic
那麽对TMAH 蚀刻率
将会怎麽影响？
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