作者lsy1206 (眼镜)
看板Chemistry
标题[问题] OLED的LiF阴极
时间Tue Feb 7 19:23:56 2017
在制做OLED元件时，经常会在金属阴极与电子传输层之间夹一层薄薄的lithium fluoride
以增加电子注入的效率，那LiF增加电子注入效率的机制为何呢?有一说是可以让电子透过
tunneling effect由阴极进入电子传输层，但为何电子透过绝缘的LiF穿隧进入电子传输
层的效率会比阴极直接与电子传输层接触，让电子可以直接进入电子传输层的效率还要
高呢? 另外除了穿隧效应，还有其他机制可以解释电子注入效率的增加吗?
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1F：→ faniour: 这有几本中文书内写的蛮细的，做OLED的人买来看 02/07 20:21
2F：→ faniour: 应该不会是困难的事，几百元而已 02/07 20:22
3F：→ faniour: 其中一本书的作者就你们114的教授啊...... 02/07 20:25
4F：→ faniour: 看不懂拿着书杀过去不更好？ 02/07 20:26
5F：→ GALA256: Al阴极与AlQ3层若无LiF层屏障，在电子传递过程会不会有 02/07 22:20
6F：→ GALA256: 什麽有趣的事情发生呢？XD 02/07 22:20
7F：→ GALA256: 不确定会不会有ligand exchange 02/07 22:24
8F：推 qwerwef5535: 是不是因为2个能多啊 所以用穿隧电子直接穿过去 02/08 15:35
9F：→ qwerwef5535: 就可以忽略能接差的影响 反而因为穿隧让注入更好 02/08 15:35
10F：→ qwerwef5535: 好像也可以顺便整流 02/08 15:36