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标 题Re: [问题] 半导体发光的问题
发信站中山计中美丽之岛 (Wed Nov 23 17:47:47 2005)
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> ==> [email protected] (wake up) 的文章中提到:
> N 接面 的自由电子 到 P 接面 的电洞
> 因为结合所以能阶降低(?) 所以发出光量子(?)吗
> 一直结合why不会中和 而是不断产生新的电子和电洞出来(?)
> 所以光能就越来越强(?)
> 谢谢
你说的结合或中和,它有一个专有名词叫载子的复合(carriers recombination)
会发生复合的机会是在有超额的载子(excess carriers)注入到半导体中,
使其产生一个非平衡的状态。我们通常用光激发或是给予P-N接面一顺向偏压
来产生超额载子。
要回复到原来的热平衡,其机制就是注入的少数载子与多数载子复合。
过程中会以产生光子或对晶格产生热能消耗掉。
以你的问题,
1. N接面的自由电子要跑到P接面,首先要先克服位能障(potential barrier)
光这点就打死一堆电子了...(单纯把两块pn接在一起是几乎不会产生光)
2.电子电洞复合,能量的释出以光或热的形式,如果这光去撞击另一个受激态的原子
又会产生新的光子...(Laser的原理,诱发放射,simulated emission,但要形成
诱发放射的条件很难),一般都是第一种,放出个光就回到基态了,为何不会越来越
强,前面有提过了,你所产生的少数载子形成复合,最後会到一热平衡的状况。
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没有了光,影子还能存在吗?
缺了影子,光的存在就没意义了...
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