※ 引述《[email protected] ()》之铭言： : ※ 引述《[email protected]》之铭言： : > 是啊， : > 其实BJT和BiCMOS的技术也都很成熟了， : > 不太清楚第一篇原PO的「技术成熟」指的是？ : > 不是的，BJT和MOS比较起来还是BJT的noise较小， : > 尤其在低频类比应用下 : > 数位应用时的确如此， : > 但是在类比应用时，因为在同样偏压电流下， : > MOS的Gain比较小，所以省不省电就很难说了 : > 数位应用时的确如此，类比倒不那麽绝对。 : > 不太明白你这句话的主意，你说的Si和SiGe差别是？ : > 而且专给RF用的CMOS与BiCMOS制程之间差异频大啊。 : > BJT仍然是高频IC设计者的好朋友 : > 不过现在SoC吵着火红，很多人都被迫要用RFCMOS去做了。 : 我可以补充一个吗 不知道对不对 : 我觉得是因为MOS的体积跟BJT相比小很多 所以可以被大量应用在积体版上 : 不知道对还错 请大家多指教 : .. : .. : .. : .. BJT单一cell的体积确实比MOS大 但是在低电压超作时(1.8V以下),MOS的面积需要很大 才可达到够低的overdrive及mismatch 反关BJT不管电晶体的size, vbe大约都在0.75~0.85, mismatch或flicker也比mos好很多 所以以大小而论,因该是BJT取胜 BTW 目前业界大部份都是设计BiCMOS, 截取两者优点 以OP而言 在gm stage就采用BJT, 以降低noise及mismatch 在load部份或current mirror部份就采用CMOS, 因为MOS的gate不吃电且mirror准确度高 -- ╭──── Origin:<不良牛牧场> bbs.badcow.com.tw (210.200.247.200)─────╮ │ ↘ Welcome to SimFarm BBS -- From : [61.66.243.100] │ ╰◣◣◢ ◢◢《不良牛免费拨接→电话:40586000→帐号:zoo→密码:zoo》 ◣◣◢ ─╯