作者davison (davison)
看板Electronics
标题Re: [讨论] Body effect与电路设计
时间Fri Jan 27 15:39:11 2006
※ 引述《ihlin ()》之铭言：
: ※ 引述《pow (FeiFei)》之铭言：
: : 虽然PMOS的Bulk是n-well（假设是p type substrate）
: : 可是硬要把B接到S 在layout的时候还是挺麻烦的
: : 当然只有画schematic的话
: : 想怎麽接线就怎麽接
: : 是绝对不会体会到我在讲什麽的
: ？？不太懂麻烦在哪里？
: 拿tsmc18rf制程举例的话，PMOS source会接M1，
: 然後画一块diffusion layer再加个contact不就连好了？
: 然後不就顶多要注意如果旁边有NMOS的话，
: 不要把contact放太远造成latch-up check过不了吗？
: 我是这麽以为的
看了上述的讨论，可以了解由於MOS制程和LAYOUT上的限制，所以只好
牺牲body effect......
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