http://cn.chosun.com/big5/site/data/html_dir/2013/08/07/20130807000010.html 三星量产全球首款3D堆叠式结构NAND芯片 朝鲜日报记者 蔡珉基 (2013.08.07 11:03) 三星电子6日表示，全球最先研发出3D堆叠式结构的NAND闪存芯片（见图），已经开始量 产。 内存芯片应用於手机、平板电脑等产品，可存储照片、音乐文件等。内存芯片的内部有数 亿个栅，栅的数量越多存储容量越大。 3D堆叠垂直式结构是将栅一层层地排列的，这打破了一直以来的横向排列方式的极限，通 过3D垂直堆叠方式提高了密度。有评价认为，缩小横向排列时栅间间隔的技术已接近极限 ，因此3D垂直堆叠方式开创了“3D闪存芯片量产新纪元”。从常识上看，很容易想到通过 垂直堆叠提高密度，但是之前从未有一家公司成功研发出这一技术。 三星电子表示，与既有的20纳米级半导体相比（栅间间隔为20纳米），该产品的密度提高 了1倍左右。写入速度提升1倍以上，耗电量缩小一半。三星电子在过去十年研究"3D垂直 堆叠型结构NAND闪存(V-NAND)技术"的过程中，研发了300余项核心专利，并已在韩国，美 国和日本等世界各国提出了专利申请。三星电子内存事业部专务崔定赫说：“今後会进一 步提高密度，推出性能更高的产品。” 朝鲜日报中文网 chn.chosun.com --

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