作者ezWang (ez王)
看板Electronics
标题[问题] SRAM sense amp问题
时间Thu Aug 22 16:57:29 2013
想请问一下
若只考虑read
只用6T SRAM 跟6T SRAM再加上sense amp
应该是後者让bitline(BL)在放电时会放得比较快吧?
也就是後者反应速度应该比前者还要快才是
但小弟用hspice跑模拟後 结果後者竟然放电比较慢!?
还是说小弟在MOSFET W/L尺寸有问题
但爬版上文章 latch nmos> WL那两颗nmos 这应该没错
另外还有问题就是WL一拉起来 bitline bar(BLB)才开始放电 这是没错的
然後我测试的方法是 WL拉起来後delay0.01ns
才把sense clk拉起来
这样做法不就一定会比原先6T SRAM放电来得慢?
还是说又是mos尺寸问题? (导致放电太慢)
请高手指点一下~
谢谢
还是sense clk要一直拉起来(处於logic 1的状态)?
但这样做好像又怪怪的... 小弟不太清楚sense amp那部分
还是说可能要外挂电容(20pf左右)!?
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◆ From: 59.105.109.236
※ 编辑: ezWang 来自: 59.105.109.236 (08/22 17:02)
1F：→ ezWang:还是说 sense amp本身就只是为了放大BL BLB的讯号? 08/22 18:14
2F：推 hohomonkey:自问自答XD 你的推文是对的 约莫只要放电到电压差50mV 08/23 15:30
3F：→ hohomonkey:sense amp就可以把BL和BLB的正负分辨出来 08/23 15:30
4F：→ hohomonkey:(当然跟制程 结构 速度会有关系) 08/23 15:31
5F：推 mlct318:楼上神人推~ 08/23 15:43
6F：→ ezWang:恩~谢谢h大!! 08/24 16:14
7F：→ mmonkeyboyy:回去看一下最新版教科书 蛮有用的 XD 08/24 23:09
8F：→ mmonkeyboyy:现在的SA跟以前设计有点差别 基本上还是去分辨BL BLB 08/24 23:09
9F：→ mmonkeyboyy:但时序变得蛮重要的 还有放电时间也很重要 但总之 08/24 23:10
10F：→ mmonkeyboyy:就像是比较器一样 一高一低到某种程度 BL BLB就分开了 08/24 23:10