作者chienjr (了解自己也是很难的任务)
看板Electronics
标题Re: [问题] mosfet datasheet内容问题请教
时间Sun Sep 29 22:21:07 2013
※ 引述《ggt (JJ)》之铭言:
: 大家好,最近需要使用一颗mosfet当电子开关
: 在看datasheet时一些特性例如:Vth(1~3v),id
: ss(max=1uA),igss(max=100nA)等这些mosfet电
: 特性的上下限值是如何定出来的呢?生产的公司
: 为何要这麽定呢?有何依据吗?谢谢
有时候这些数值是为了配合现有标准产品,像是常见的2N7000
自己做相容品时,就把制程调整到,生产出来的产品能够符合业界标准
如果是自己开发的型号,规格就是自己定,客户看了能买单,卖得出去就好
不过常常可以看到自订型号的产品,其实目标是某个工业标准产品,
但某些特性稍好稍差,可能是costdown的关系
像是toshiba的2SC5200和TTC5200,後者C极寄生电容较小,Ic-Ib曲线较差
有人推测是die size变小的关系,即可能是costdown产物
至於自订规格的数据,像您列出的idss和igss,理想上是0
当然做不出理想规格产品,因此有个上限,使用者能接受即可
您用的是哪颗晶体?
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※ 发信站: 批踢踢实业坊(ptt.cc)
◆ From: 175.180.213.88
1F:推 ggt:谢谢C大的回覆,我用的是irf540 09/30 22:09