作者u6jp68 (左卫门)
看板Electronics
标题[问题] Hspice看Id
时间Mon Oct 14 22:30:19 2013
hspice跑完模拟後的.lis档中
**** mosfets里会有许多参数
subckt
element 0:m1
model 0:nmos
region Saturati
id 99.8288u
ibs 0.
ibd 0.
vgs 900.0000m
vds 1.0000
vbs 0.
想请问一下里面的id是否就是drain的电流呢??
还是.print I1(M1)显示的结果才是drain的电流??
谢谢
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※ 发信站: 批踢踢实业坊(ptt.cc)
◆ From: 140.113.5.131
1F：推 r30385:是啊 10/14 22:34
2F：→ u6jp68:可是我用.print I1(M1)出来的结果却会和gm一样＠_＠ 10/14 22:37
3F：推 R7SSI:.print I(M1) 多个1 看gm指令记得是 lx7(M1) 10/15 02:30
4F：→ u6jp68:我记得I1=Id 改成I之後跑出来的值还是和gm相同 10/15 20:14
5F：推 R7SSI:有试过用别种W/L跑出来後的结果吗? 10/15 22:08