作者Baneling (爆炸一哥)
看板Electronics
标题[问题] SRAM与Flash Memory
时间Tue Nov 26 03:23:55 2013
各位大大安安
小的有关於SRAM与flash memory的问题需要解惑一下
希望有相关知识的强者可以帮忙一下 Orz
事情是这样的，在我现阶段设计的系统晶片里面需要低功耗的记忆装置
写入的速度很慢约1KHz，读取的速度较快约为速百KHz，总容量大约是1kbits
(我知道规格很怪异... 系统用途特殊没办法)
目前用TSMC 0.18um的制程可以设计出操作供应电源为0.7V，功耗还算颇低的SRAM
本身对於SRAM的了解有一定的基本程度(但也只设计过6T架构)
比方说SNM或者WM之类的参数都能再设计阶段纳入考量
但是有关於flash memory相关的资讯让我有点困惑
1.在类似的应用(低读写速度,低电压,低功耗)
Flash memory是否能比SRAM达到更低功耗的效果 (面积没关系 Orz)
2.在标准CMOS制程(使用CIC提供的TSMC18um制程)中能否实现flash memory的设计
因为还不确定是否该投入心力去看flash memory的资料
所以上来问问有相关知识的强者 谢谢回答 QQ
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