※ 引述《Baneling (爆炸一哥)》之铭言： : 各位大大安安 : 小的有关於SRAM与flash memory的问题需要解惑一下 : 希望有相关知识的强者可以帮忙一下 Orz : 事情是这样的，在我现阶段设计的系统晶片里面需要低功耗的记忆装置 : 写入的速度很慢约1KHz，读取的速度较快约为速百KHz，总容量大约是1kbits : (我知道规格很怪异... 系统用途特殊没办法) : 目前用TSMC 0.18um的制程可以设计出操作供应电源为0.7V，功耗还算颇低的SRAM : 本身对於SRAM的了解有一定的基本程度(但也只设计过6T架构) : 比方说SNM或者WM之类的参数都能再设计阶段纳入考量 : 但是有关於flash memory相关的资讯让我有点困惑 : 1.在类似的应用(低读写速度,低电压,低功耗) : Flash memory是否能比SRAM达到更低功耗的效果 (面积没关系 Orz) 就算面积不考虑，flash memory不可能比SRAM更低功耗。 写入(Program)与抹除(Erase)耗的电量约数个～数十mA级。 读取(Read)约数个mA级。 ps.目前产品最低操作电压是1.8V（1.65V~2.0V）与3V(2.7V~3.6V)两种。 : 2.在标准CMOS制程(使用CIC提供的TSMC18um制程)中能否实现flash memory的设计 就embedded flash而言(1PXM)，是可以，但必须多增加光罩数目。(至少要一种poly) 若是一般的flash, CIC如果有提供2P3M以上的制程，应该可以达成。(至少要两种poly) 不过，不能使用逻辑制程，因为flash memory需要用到高压元件(5V以上)，作为 high voltage switch与charge pump使用。 : 因为还不确定是否该投入心力去看flash memory的资料 : 所以上来问问有相关知识的强者 谢谢回答 QQ 1Kbit的话，还是乖乖使用SRAM吧，flash memoey起码用到512Kb以上才划算。 不然光是周边电路耗去的面积就比本身的array还大。 题外话，目前的flash memory里头也塞了块小容量的SRAM在里面。 -- 在台湾，何谓R&D工程师? 1.Reverse and Decap :IC反向工程，去胶，打开封装，拍照，复制电路布局。 2.Resign and Die :没死的就操到辞职，没辞职的就操到死。 3.Rework and Debug :计画永远跟不上变化，变化永远跟不上老板的一句话！ 4.Relax and Delay :太过於轻松(Relax)，那麽就要有schedule delay的准备！ 但是外派到大陆的台湾郎，晚上是R (鸭)陪客户，白天是D (猪)任人宰割！ --

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