※ 引述《woko (孤.独.一.痕)》之铭言： : 因为小弟修的专题必须跟CIC下一颗晶片才算过关, : 所以想跟版上高手请教一些问题: : (1)bandgap reference中用来接成diode-connect的寄生PNP可不可以改用 : Nwell/Psubstrate接面或是P+/Nwell的单纯diode接面? : 为什麽我看书上和许多参考文献都不直接用CMOS中的diode架构呢? 假设没意外的话，用 P-SUB wafer 是可以用 P+/Nwell 替代 PNP BJT : (2)电流镜的基准电流所用到的那个偏压电阻,我看书上的建议说那个电阻是用外接的, : 但如果以IC整合度的观点来看,这个电阻改用主动负载有好处吗? : 如果用外接的,一般都是用可变电阻吗? 电阻通常有±20% 的 variation, 所以你的电路要够强壮才行... 这也是 Foundry 所提供的 model 有 TT,SS,FF 之类... 否则大家都用 TT 设计就好了 : (3)一样是电流镜基准电流源偏压的问题:我在IC内部有不同电流的需求, : 目前我的作法是并联不同数目最小电流单元, : 再搭配电晶体开关来完成产生多种电流的目的, : 不知道这种作法是不是正确的? 不同的电流需求，你要改变的只有 mirror 比例 : p.s.因为有一位已经在工作的学长建议我用外接电阻才是较佳的作法, : 这样一来不是要外接很多颗可变电阻吗? : 麻烦有相关经验的人能提供一些经验指导一番,非常感谢!! -- ╭───── ╱╲ ▁▁ ╱╲ ───────────────────╮ │ |▁: │ ◢ 〃〝 ◣ │ ＿＿ ＿＿ │ │ :▁| ◤＞ ＜◥ | ╱ : ╱ ╱ | : ＿ | │ │ |▁: ◣ ◢ ▼ ◣ ◢ : ╲ | ╲ : | ￣ ＿ : │ │ :▁| ◣◥"◢ ▼ ◣"◤◢ ￣￣ 玮│ ╰────── ( ▆▆ ) ───────────────────╯ --

※ 发信站: 批踢踢实业坊(ptt.cc) ◆ From: 180.177.8.54