作者bbogod ()
看板Electronics
标题[问题] 一般论文所探讨的leakage到底是属於哪种?
时间Thu Feb 27 00:50:15 2014
各位前辈好，
最近在做量测CMOS电路的漏电流有很大的迷失
即便爬过文章但还是不太理解
至今论文所探讨的leakage到底指的是哪一块?
主要都是 Subthreshold Leakage吗
现在目前研究方向是 PLA (programmable logic array)
1.CLK=0 (Precharge) 输入变化不影响输出
2.CLK=1 (Evaluation) 依照输入并将值读出
而目前用 Hspice 测量 Leakage 的方式为以下三种:
1.CLK=floating , input=floating (任何讯号都浮接)
2.CLK=0 , input=1 (让电路维持在precharge不做任何读值，输入也固定在vdd)
3.CLK=0 , input=0 (让电路维持在precharge不做任何读值，输入也固定在gnd)
然而这三种方法测出来的数据让我推论不出来
第一种全浮接的状态，我拿已增加降低漏电流的新电路来测试，
发现全浮接的状态漏电流的值跟最传统的值没有相差太多(几乎没变)
第二种和第三种跑出来的数据就很接近，但是拿已增加漏电流的新电路测试
就与最传统架构的漏电流有差距
以下是我个人的想法，希望有人可以指点是否有误
1.就我爬文，全做浮接的状态，所测得的是 input 所看进去的漏电流，而电路是呈现无
电位状态，因此只能测量到junction leakage? 而这就是数据没有改变的原因?
2.使用2和3是由於Precharge将 bit line皆充电，而输入则不做任何变化，使得 CMOS 之
间有电压差才产生漏电流因此测量到的漏电流会随着电路架构的改变而有所变化??
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推 weltschmerz:超可爱，快转可爱版 02/25 08:32
→ l1l1l1l1:可爱版是什麽鬼?不会真有这种版吧? 02/25 09:20
※ l1l1l1l1:转录至看板 cute 02/25 12:18
推 l1l1l1l1:干,还真的有这种版 02/25 12:18
推 ntitgavin:那是中国科技大学版 02/25 12:41
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※ 发信站: 批踢踢实业坊(ptt.cc)
◆ From: 218.164.108.141
※ 编辑: bbogod 来自: 218.164.108.141 (02/27 00:50)
1F：推 mmonkeyboyy:其实两种 gate subthreshold都有 02/27 01:11
2F：→ mmonkeyboyy:你看一些 device的书就有了 sub-th还是多 02/27 01:12
3F：推 mmonkeyboyy:有些时候不能全浮接 这是有原因的 02/27 01:17
4F：→ bbogod:所以终究下来，我这样测量的数据哪个对?方式是否有误? 02/27 01:43
5F：推 mmonkeyboyy:leakage current 你就用个 source源 看出多少电流不 02/27 01:49
6F：→ mmonkeyboyy:就得了q_q 02/27 01:49
7F：→ mmonkeyboyy:你static power就是这样来的啊 02/27 01:50
8F：推 jamtu:这有点本末倒置 会在意leakage问题表示实际上发生 02/27 02:21
9F：→ jamtu:进而去探讨原因 02/27 02:21
10F：→ jamtu:你的出发点变成好像没有发生这件事情 硬是要去找哪里发生 02/27 02:22
11F：→ jamtu:所以从一个产品的角度去思考 为什麽要在意"leakage" 02/27 02:22
12F：→ jamtu:人家在产品的使用上 是怎麽使用 为什麽怕"leakage" 02/27 02:23
13F：→ jamtu:要怎麽去测试leakage的答案就会出来 02/27 02:24
14F：→ jamtu:抱歉我不懂这一块 但是我遇到不懂的名词都是这样思考的 02/27 02:24
15F：→ jamtu:很多人问CMRR怎麽定义与测试 我的答案是要看你应用的方法 02/27 02:24
16F：→ jamtu:问题都是从产品的应用出来的 不是没事找事做定义一个spec 02/27 02:25
17F：推 mmonkeyboyy:我以前也不懂cmrr要干嘛 後来多看原文书和做了才懂@_@ 02/27 03:20
18F：→ mmonkeyboyy:还有psrr XD~ 02/27 03:20