作者silver33135 (雪狼)
看板Electronics
标题[问题] 用MOS 作PWM开关 电压会变动 的相关问题
时间Mon May 26 17:21:34 2014
版友们好
目前我正在设计一个利用PWM讯号调整 duty cycle 来控制LED亮度的电路
想法与接法参考
#1IA5ov25 (Electronics) 文章
在 MOSFET D S 之间没有导通的时候 LED 直接吃电源供应器的3V (我的case吃3V)
导通就让电源接地 LED吃 0V 就不亮
我选用的MOSFET 是 IRF620 200V 5A
输入 6V 的PWM方波讯号去作开关
目前碰到的问题是 输入的PWM讯号在duty cycle 加大的时候 LED的跨压会下降
例如 duty cyclye 30% LED 量到的跨压就会掉到2.75V ，
50%时跨压就会掉到 2.58V LED 就直接不亮了
请问有甚麽方法可以解决这样的情形呢?
另外想问以这样的接法 在LED量到的PWM讯号并不是完美的方波
反而是变成有点像是(RLC电路)鲨鱼鳍 形状
另外MOSFET 在接的时候 有时候D S 间关闭後 拔掉PWM讯号 会无法断开
要手动拔起来 把MOS搓一搓 在接回去才会是原本的D S 断路情形
也想请问这样的情形是否是正常的
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※ 发信站: 批踢踢实业坊(ptt.cc), 来自: 140.115.67.203
※ 文章网址: http://webptt.com/cn.aspx?n=bbs/Electronics/M.1401096097.A.BD2.html
※ 编辑: silver33135 (140.115.67.203), 05/26/2014 17:21:56
1F：→ Sirine:我有做过类似的东西 换了内阻比较小的NMOS情形会好很多 05/26 19:12
请问是指跨压下降的问题还是 开关反应速度不够的问题会因为改内阻而改善呢?
※ 编辑: silver33135 (118.161.164.67), 05/26/2014 19:30:38
2F：→ p20162:你把PWM的振幅调高到10V以上 05/26 19:57
今天有试过 PWM 振幅到DAQ最高的10V 还是会有一样的问题耶
※ 编辑: silver33135 (118.161.164.67), 05/26/2014 20:02:24
3F：推 pdaer:你应该是要定电流控制吧...怎麽会去弄电压 05/26 20:16
电源供应器是定电流的 但不知道为什麽电压就会变 然後跨压不够 灯就不亮了
※ 编辑: silver33135 (118.161.164.67), 05/26/2014 20:20:04
4F：推 pdaer:我是说你用duty去切平均电流 不是直接吃psu的 05/26 20:22
5F：→ pdaer:你应该要拉个回授做current control的feedback 05/26 20:23
6F：推 pdaer:你可以参考LED点灯的IC看看怎麽做定电流点灯 05/26 20:25
所以没有办法直接学
#1IA5ov25 文章底下推文的图片
http://imgur.com/6LPDnjS
直接这样接吗?
※ 编辑: silver33135 (118.161.164.67), 05/26/2014 20:34:10
7F：推 pdaer:最简单就这样接吧 05/26 20:40
8F：→ pdaer:不过你那电阻要换成LED 05/26 20:41
目前就是以上图这个方式去接的 不过PWM讯号的duty cycle 上升後
LED吃到的电压就下降了 不知道问题出在哪= =
※ 编辑: silver33135 (118.161.164.67), 05/26/2014 20:44:58
9F：推 pdaer:RDS on太大吧 你量看看你的mos多烫 对照一下对应的导通阻抗 05/26 20:58
10F：→ pdaer:duty越大 电流越大 温度越高你的mosfet RDS电阻越高 05/26 20:58
11F：→ pdaer:这种方法真的不是好方法 你还是study一下闭回路去控制电流吧 05/26 20:59
12F：→ pdaer:现在ic都做到很简单了 还有温度补偿 看一下application note 05/26 21:00
了解了 IRF620 的RDS 最小很像就有0.55欧姆了... 我会先试看看买RDS小一点的
MOSFET 不行的话就会去看资料 非常感谢您的建议!
※ 编辑: silver33135 (118.161.164.67), 05/26/2014 21:04:59
13F：→ pdaer:是说0.55ohm也不大 看一下datasheet 量一下温度对照TC curve 05/26 21:06
14F：→ pdaer:我是不知道LED内阻有多大就是...没研究过 05/26 21:07
可能明天要在去量一下 今天最测试的时候 MOSFET确实是满烫的
※ 编辑: silver33135 (118.161.164.67), 05/26/2014 21:16:20
15F：→ Sirine:之前有用过IRFZ44 不过价格贵很多 05/26 22:50
16F：→ rith22411:LED工作电流很大吗? 05/26 23:32
LED 吃0.35A 应该不算到太大 只是DAQ 只能出0.05A 所以才没直接用DAQ出
※ 编辑: silver33135 (118.161.164.67), 05/27/2014 00:33:49
18F：→ a149851571:跟LED串的那个电阻视情况改大小 你的LED功率有点大 05/27 12:11
19F：→ a149851571:可能电阻就不能太大 5欧姆左右 要挑较大功率的电阻 05/27 12:12
20F：→ a149851571:gate极的电阻是要释放停留在那边的电荷 pwm的讯号才切 05/27 12:12
21F：→ a149851571:得比较漂亮 这边通常选大电阻 10k之类的 05/27 12:12
22F：→ a149851571:看原文猜测原本电路应该是利用对地短路来做关的动作 05/27 12:14
23F：→ a149851571:这样产生的电流太大了 所以MOS才会发烫 05/27 12:14
24F：→ a149851571:对了 这种电路跟原本的电路 开-关 的定义是相反的喔 05/27 12:18
了解了 我再来试看看 所以是太大的电流通过MOS才发生这样的事情
感谢您的回应
25F：→ mos888tw:加个gate driver 推power mos该不会直接用function gen? 05/27 12:36
※ 编辑: silver33135 (140.115.67.203), 05/27/2014 20:14:51