作者chungfei ()
看板Electronics
标题[请益] (电子学)共模输入范围 ICMR
时间Wed Jul 30 16:26:38 2014
各位同学大家午安
又是我,电子鲁蛇
我对於ICMR有些疑问,发现张维刚老师的算法与SMITH的算法有落差
(A图)张维刚老师 的算法
http://ppt.cc/uSjj
(B图)SMITH对ICMR的诠释
http://ppt.cc/sEwP
(C图)SMITH的ICMR的例题
http://ppt.cc/YMib
(因为Vcm在图上没有画出,所以我猜想Q1的1应该就是Vcm的输入点)
(D图)SMITH的ICMR的例题解答
http://ppt.cc/0xTX
(E图)自己找的ICMR题目
http://ppt.cc/bzPj
我有几个疑问想请教各位同学,因为各家算法有落差,想厘清之间的差异.
1.A图中张老师的算法是不是错了,Vcm_MAX应该是5V而不是5.5V是吗?
2.有没有可能是因为张老师有假设VCE=0.2V,而在SMITH的图C中没有假设VCE=0.2V的原因
我看了一下SMITH的图D中的算法,从这段话"此时Q3的集极电压低於基极电压的-14.3V"
,所以我感觉S是假设VCE=0V,不然Q3的集极电压应该是-14.3V+0.5V=-13.8V.
(其中的0.5V是0.7V(VBE)-0.2V(VCE))
3.E图中,我用SMITH的算法,可以知道
VCM _MAX=15-(10K*0.5MA)=10V
VCM_MIN(VB1)=VB3(-10V)+VBE3(0V)+VBE1(0.7V)=-9.3V (这是我推想的算法)
如果VCM_MIN是对的话,那为何不用考虑RE的压降,还有在此题中,VCE该用多少?
因为题目没给,正式考试的时候,VCE到底是要用多少呢
4.S和张哪一个才是标准的算法呢?
谢谢大家
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1F：→ bary123:要比就拿同等级的来比，拿Razavi看看吧 07/30 16:42
2F：→ bary123:补习班的…………嗯……… 07/30 16:42
3F：推 deathcustom:不过，这个题目上张的似乎应该是对的 07/30 17:09
4F：→ deathcustom:然後，不要"只"看SMITH的翻译版，也不要只相信S的解答 07/30 17:09
5F：→ deathcustom:根据我的经验，S的翻译版错误率大约10%，S的解答..... 07/30 17:10
6F：→ deathcustom:不如现在台大教授王奕翔教授写得答案~"~ 07/30 17:11
7F：→ qu3899:Smith翻译版解答各种错… 07/30 19:08