作者ff1268 (iGodric)
看板Electronics
标题[问题] Bootstrap switch动态性能不好
时间Fri Aug 28 21:36:35 2015
各位好：
小弟我在实作10 bits SAR ADC使用90nm制成，动态性能一直很差，
已经有使用数位校正的技术，但性能还是上不去，
presim的结果：
100Mhz取样率，10Mhz输入频率，我的ENOB只有 8.6bit;
所以在想是不是Bootstrap Switch的问题，所以对Bootstrap
Switch作1024点的FFT，结果如下
取样率100Mhz 输入频率 1Mhz下 ENOB=13.057 SFDR=83.33dB
但是换成 输入频率 10Mhz下 ENOB=10.45 SFDR=69.82dB
是不是这样的解果会导致我全电路的性能不好？
那要如何改进？
谢谢各位
电路图如下
https://imgur.com/7ZZ3Ucg
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1F：→ rogerham: 跑Nyquist input，喷了就表示你AD用这SH会喷 08/28 22:44
2F：→ ff1268: 谢谢你的回答，弱弱的问一下Nyquist input是指取样率一半 08/28 23:30
3F：→ ff1268: 的输入频率嘛？ 08/28 23:30
4F：→ opq77114: 影响switch线性度的是Ron，影响Ron的变数是那些? 08/29 00:11
5F：→ opq77114: 如何改善那些变数? 朝这方面下手应该能改善你的问题 08/29 00:12
6F：推 owenroy: M4 body接错 08/29 00:12
7F：→ ff1268: 谢谢各位的回应，我会从Ron在想一下，应该是Ron越小，线 08/29 00:45
8F：→ ff1268: 性度越好？ 08/29 00:45
9F：→ ff1268: 谢谢owenroy的回答，M4 body不是跟souce端接body effect 08/29 00:46
10F：→ ff1268: 越小？这样不是比较好嘛？ 08/29 00:46
11F：推 wing2359930: 推推看m4在图中的d端的最高电位 在想想MOS的对称性@@ 08/29 12:53
12F：推 owenroy: n2电位会比vdd高喔 08/29 20:36
13F：→ ff1268: 谢谢各位的回答，那请问这样的电路性能怎样算合理？ 08/29 22:42
14F：→ yudofu: 看用在哪里跟负载大小 08/30 00:33
15F：推 h94jo3cl4: 做10bit至少12～ 08/30 20:39
16F：推 baoerking: 你计算snr取的频宽是一样的吗？ 08/31 09:00
17F：→ ff1268: 谢谢各位的回答^^，请问baoerking你说的是什麽意思呢？我 08/31 11:36
18F：→ ff1268: 是在sp档中下.fft来做运算的 08/31 11:37
19F：推 dinocyj: 这个电路只要注意ENOB嘛？ 还是有其他的要注意呢？ 谢谢: 08/31 16:24
20F：→ dinocyj: ) 08/31 16:24
21F：→ ff1268: 我是还看THD & SFDR，不知还有没有其他重点 09/01 14:17