作者foye0922 (TJ)
看板Electronics
标题[问题] 关於设计op的想法
时间Wed Sep 2 10:45:07 2015
各位神人大家好
我要设计的op 是ptype CL=10p .18制程 vdd=1.8v
Bias 电路的部分并不是用current source
是接mos 去设计mos
由於前一次设计的op
有达到想要的DC增益60db
但是因为unit gain 频宽太小 大约才几KHz
即使加上补偿还是无法达到60MHz
所以打算重新设计
目前打算是将第一级的增益 达到至少45~55db左右
这样一来 第二级就可以 降低增益 提高频宽
我是先设计好各点电压确定它在饱和区
然後再去调size 让它的gm值达到想要的值 然後经由固定电压和电流
再一级一级去做
不过 现在卡在 第一级差动+电流主动负载 怎麽做都只有20~33db左右
而ro的部分 又会跟gm做取舍
然後做的时候就有卡关了
不知道 各位的经验来说 我这样的方法是否可行
或是有什麽其他的方法可以参考
谢谢大家!
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1F：推 mos888tw: 你第一级偏压一定进linear,不然gain不可能这麽低 09/02 19:58
2F：推 CaskY: 频宽就是用电流去换啊 09/02 22:38
3F：推 cpyi: 别用微调的 搞清楚参数间的关系 09/05 22:25
4F：→ cpyi: 建议你画出不同Id W下的gm图 跟不同Vds Id下的ro图 09/05 22:26
5F：→ cpyi: 要不同Vds是因为.18很可能会有非定值的ro关系 09/05 22:27
6F：→ cpyi: 有了图想清楚关系在去做 不然你会觉得什麽参数都在Tradeoff 09/05 22:27
7F：→ cpyi: 这两张图再演化就可以变成gm/Id法 09/05 22:29
8F：→ cpyi: 但是你直接看gm/Id法只会觉得他怎麽会这样定 真奇怪 09/05 22:29
9F：推 cpyi: Device Sizing是很基本的东西 不知道为什麽几乎都没在教 09/05 22:31
10F：→ cpyi: 每次做实验就是一堆人开始狂调整参数 直到符合Spec 09/05 22:32