※ 引述《chao30040 (chao30040)》之铭言： : 版上的大家，大家好~~ : 我非本科系出身，论文题目是用silicon drift detector来侦测材料的特徵x光， : 测试时是利用铁55射源激发矽晶片中的电子电洞对， : 然後产生电流脉冲经由放大器放大再送到多通道分析器作分析 : 只是目前晶片做出来了但是在测试的时候背景杂讯太大所以没看到peak : 由於x光频率在300PHz~30EHZ，频率蛮高的， : 想请问要怎麽设计这频段的带通滤波器来把杂讯滤掉??? : 还是是要算出激发出的电流的频率范围作带通滤波呢?? : 要处理像x-ray高频率的电路在设计上有甚麽需要注意的呢 : 麻烦版上的大家了 谢谢 这是silicon drift detector的构造图 http://imgur.com/p2RfpQx Anode 布植 n-type Ring 和 front contact 布植 p-type 然後power supply 正极接在anode上 负极接在ring和front contact 加130V的逆向偏压 配合分压电阻，产生空乏区和漂移电场(每个环大概10V上下)，用铁55 X光射源激发电子 电洞对，使电子跑到ANODE在接前置放大器放大 所以anode上接了power supply的正极和信号线 然後有在RF版上问过了，版友说加滤光片後电子的电流频率就和光源无关了， 请问又要怎麽判定激发出的电流频率范围呢?? 然後PAPER上人家的侦测器在室温或是负10度C时都有PEAK，我用的TECOOLER温度到达负20 度C所以我想不是温度问题 前置放大器是使用Model 2006 Proportional Counter Preamplifier 放大器是 Model 2016 Amplifier-TCA 目前杂讯多想说就把原本用的洞洞板改用自己去洗版子然後信号线在用短一些 只是因为不知道电流的频率范围，所以不太清楚我要滤掉那些频率的杂讯 --

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