作者numbtkb (numbtkb)
看板Electronics
标题nmos charge pumping
时间Fri Dec 4 12:53:59 2015
如题 nmos body端有二极体的话 我量charge pumping vbase从负扫到正。可是在闸极负
电压时 二极体就导通 这样就量不到i cp了
总结问题
1.mos里基底端有二极体这是什麽结构 ？效用是？
2.这种结构如何量界面陷阱跟氧化层陷阱？？
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1F：→ tonybin: MOSFET结构上必然有body diode阿 12/04 19:37
2F：→ numbtkb: 不是吧 那这样怎麽量charge pumping 12/05 12:46
3F：推 jfsu: 这些界面态电荷不都是用C-V法量吗? 12/06 01:38
4F：→ numbtkb: 我比较常听到用CHARGE PUMPING 量 原来CV也可以? 12/06 11:51
5F：推 avp123: 楼上水精灵 12/07 23:34
6F：→ numbtkb: 什麽水精灵 12/08 13:29
7F：→ avp123: jfsu大大 科普之神 12/10 11:53