作者smallrainy (小雨)
看板Electronics
标题Re: [问题]如何做高速负载变动
时间Sun Dec 6 12:01:35 2015
※ 引述《TWonly (台湾加油)》之铭言：
目前使用IRF530当作开关，直接用电源供应器接D跟S。
预期给1.2V电压然後可以产生3A电流。
http://imgur.com/F6tLHpC
开关关的时候，上图可以看到电流是瞬间关掉。
http://imgur.com/R6zI2Mu
开关开的时候，上图电流却是欧10us以上才充电到3A电流。看起来是一阶充电曲线
不过看IRF530的datasheet，他的output cap也才130pF，用RC去算好像也不会这麽久
不知道是那边有问题？
: 不好意思想请教一下各位
: 目前做Buck转换器，输出是12转1.2V，负载端希望可以达到10A/1us的速度去抽1-10A。
: 但是以实验室目前的电子负载无法达到此规格，询问业务似乎高速电子负载
: 价格会相当的昂贵，因此暂不考虑。
: 有试着使用水泥电阻+MOS去做切换，但是却也只能达到10-20us的速度。
: 想请问一下是否还有其他方法可以达到上述所需的Slew rate呢？
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1F：→ kdjf: 你不觉得switch off时的Vds跳了有点多吗...? 12/06 18:10
2F：→ kdjf: 电路中inductive load太大吧 12/06 18:11
3F：→ kdjf: 上篇一楼提到可能要用低感值的电阻 12/06 18:13
4F：→ peng978: gate driver 也会影响开关速度 12/06 20:35
5F：→ smallrainy: driver的部分因为看Vgs的速度是还蛮快的 因此暂不考虑 12/06 20:37
6F：→ smallrainy: 波形只是面包板测试 所以spike这麽大应该是可以预期的 12/06 20:40
7F：→ smallrainy: 不过仅用MOS难道不会比使用低感电阻+MOS来的更好吗@@ 12/06 20:41
8F：→ DaveLu: 你可能要查一下I-V转换回路的响应,毕竟dVds/dt已经够大了 12/06 21:56
9F：→ DaveLu: 一般水泥电阻电感值不大,必要的话也有无电感水泥电阻 12/06 22:26
10F：→ oisi: 面包板上的MOS有并连电容吗? 12/07 11:02
11F：→ smallrainy: 实验是没有 不过有测过如果在D和S并电容 12/07 16:51
12F：→ smallrainy: 开关开的时候速度会更慢 所以才会推测是output cap 12/07 16:52
13F：→ smallrainy: 不过datasheet的output cap才130p 应该不至於这麽慢 12/07 16:53
15F：→ smallrainy: 不好意思有电流的波形吗 因为电压切换是很快 12/08 21:09
16F：→ smallrainy: 可是我做的电流上升就是会类似一阶电路那样的曲线 12/08 21:10
17F：→ oisi: 明天在量看看电流波形 12/08 23:19
19F：→ oisi: 电流感测器 上图:SY-10T 4V/A 上升速度慢应该是电测器内绕线 12/09 13:36
20F：→ oisi: 电感造成 12/09 13:37
21F：→ oisi: 所以下图改用 ACS712-20A 100mV/A 结果输出反应延迟又太大 12/09 13:38
22F：→ oisi: 单看负载电阻跨电压 是正比电流曲线的 输出电流可看电阻电压 12/09 13:40
23F：→ oisi: 电流上升速度是应该够快的 12/09 13:41