作者sovereignty ( )
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标题Re: [问题] gm/id vs id/w作图hspice
时间Mon Dec 28 08:32:24 2015
※ 引述《foye0922 (TJ)》之铭言：
: 我从 Stanford 的讲义里看到了用gm/id 可以减少调电路的时间，但问题是
: Gm/id vs id/w 但是目前我无法得知该如何在hspice 上表示
: 已经尝试设计common source 架构，但目前卡在不知道该如何表达想要的波型！和课本上不同
: 我看各方等都是用。 matlab搭配，但我觉得很不方便，想问大家是如何模拟的呢？
gm 可以用 HSPICE 内建的 output template 指令取得。
如果是 BSIM4 model (planar)，指令是 LX7() 如 LX7(m1)
如果是 BSIMCMG model (FinFET)，指令是 LX564() 如 LX564(m1)
其他指令可以在 hspice_mosmod.pdf 文件中查到。
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1F：推 mos888tw: 用这个设计方法的板友不妨想想obov的推文 可以玩玩 12/28 21:44
2F：→ mos888tw: 但这方法要看怎麽用 不要太执着 12/28 21:44
3F：推 wxes60711: 在murmann的上课讲义有提到 这个方法用的好除了减少 12/29 00:34
4F：→ wxes60711: iteration的次数外 配合计算可以得到best-optimal而非 12/29 00:35
5F：→ wxes60711: sub-optimal的结果 用matlab扫参数真的比spectre快多了 12/29 00:36
6F：→ wxes60711: 做没碰过的制程时 抽这些参数出来对各种电路设计也够用 12/29 00:37
7F：→ wxes60711: 了 总之我觉得gm/id是个好方法 12/29 00:38
8F：推 obov: 楼上 我直接问你一个问题 你用gm/id法设计过甚麽东西? 12/29 14:44
9F：→ obov: 我说白惹 同样的电路改个spec 你的gm/id法就要假赛 12/29 14:45
10F：推 obov: 还有 我认为喇 只有人脑难以理解的非线性电路需要扫参数 12/29 14:48
11F：推 obov: 设计amplifier之类的还要拿matlab出来扫 时间太多 12/29 14:50
12F：推 wxes60711: MATLAB只要script写好 同一个process做过一次就好了 12/29 20:02
13F：推 wxes60711: 我的意思可能没有很明确 现在要做一个OP的话 SPEC给定 12/29 20:06
14F：→ wxes60711: 之後要怎麽开始着手? L要给多大? W/L又要多大? 12/29 20:07
15F：→ wxes60711: loog bw又要多少? 以现在的process来说当然不可能用手 12/29 20:09
16F：→ wxes60711: 算完成 普遍都会拿你要用的mos device来单颗trial一下 12/29 20:10
17F：→ wxes60711: 吧? 如果是这样做 那gm/id method就有它的价值在 12/29 20:11
18F：→ wxes60711: 1.gm/id-Vov 2.ft-Vov 3.ft-gm/id 4.gmro-gm/id 12/29 20:13
19F：→ wxes60711: 5.Id/W-gm/id 12/29 20:13
20F：→ wxes60711: 配合你的spec 可以从以上这些图的任意一点切入 当然一 12/29 20:15
21F：→ wxes60711: 开始还是要先丢其中一个参数定值下去找 就可以找到你需 12/29 20:17
22F：→ wxes60711: 要的其他参数值 matlab index function做这件事并不难 12/29 20:18
23F：→ wxes60711: 而且只要写好一次以後csv data直接丢进去就可以index 12/29 20:18
24F：→ wxes60711: 只要data样本够多 配合interpolation都可以找出相当接 12/29 20:20
25F：→ wxes60711: 近的解 实际spectre模拟结果也不会差很多 我认为这就是 12/29 20:20
26F：→ wxes60711: 一个好的computer-aided电路设计方式 12/29 20:21
27F：→ wxes60711: Local的matlab吐值的速度我相信还是比terminal的spectr 12/29 20:21
28F：→ wxes60711: e快很多 12/29 20:22
29F：推 obov: 通常喇 一个有经验的analog designer 12/29 21:23
30F：→ obov: 看到spec大概会知道哪些地方可能会紧绷 12/29 21:23
31F：→ obov: 然後从可能会紧绷的地方开始下手 12/29 21:24
32F：→ obov: 你的gm/id等等东西的作图法or matlab法 12/29 21:25
33F：→ obov: 最大的问题就是 看到PVT你依样看到哭 有图=无图 12/29 21:25
34F：推 obov: 还有正常情况下变化也比你想像的多 光是bias就可以让你的 12/29 21:28
35F：→ obov: 让你的gm/id法再哭哭一次 12/29 21:28
36F：推 wxes60711: 这是当然 但是gm/id并不只可以拿来design 在刚接触制程 12/29 21:40
37F：→ wxes60711: 的时候去做这些图 了解不同region的现象我认为还是必须 12/29 21:41
38F：→ wxes60711: 的 而且说真的如果不是maintain或modification我觉得起 12/29 21:42
39F：→ wxes60711: 手从gm/id那几张关系图去着手会省去不少时间 12/29 21:42
40F：→ wxes60711: CORNER问题还是可以扫 不会花太多时间 但是mismatch和 12/29 21:44
41F：→ wxes60711: voltage variation就真的要看经验还有overdesign了 12/29 21:44
42F：→ wxes60711: 结论是我认为这还是一个好工具 但是什麽情况要用不要用 12/29 21:45
43F：→ wxes60711: 就看个人认知了 也许做到满等了这些图不用扫大概也知道 12/29 21:46
44F：→ wxes60711: 极限在哪了 不过我没像教主那样强到那种地步就是了 12/29 21:47
45F：推 obov: 真的需要在扫 也就几分钟而已 12/30 04:07
46F：推 mos888tw: 通常换制程会在允许的范围内留最大的margin tapout一次 12/31 14:18
47F：→ mos888tw: 不是开玩笑的...东西出来如果哭哭 整个team甲赛... 12/31 14:18