作者foye0922 (TJ)
看板Electronics
标题[问题] 有实际用gm/id的心得？
时间Tue Dec 29 07:24:00 2015
我实际上针对这个图，扫出所需要的图了，但想问，这种设计方式 是先对 所假设的电流 去扫图，如 固定vd和w扫Vgs 变化时 的各项图。
但是否就得先固定自己的vds 和 L，所以假设 我想要设计一颗nmos是
vds =1v 时先跑vds=1v，一颗mos是vds =1.5时，再跑另一个图。
针对我设计的vds去跑图後求得gm/id？不知这样的想法是否正确。
--
※ 发信站: 批踢踢实业坊(ptt.cc), 来自: 42.71.219.104
※ 文章网址: https://webptt.com/cn.aspx?n=bbs/Electronics/M.1451345043.A.025.html
1F：→ wxes60711: murmann的讲义写得很清楚 先去看完吧 12/29 10:30
2F：→ wxes60711: VDS在sat对MOS参数影响不大 固定一个值跑即可 12/29 10:31
3F：推 cpyi: Saturation就固定一值跑即可 12/29 14:42
4F：→ cpyi: Plot不是要把问题复杂化 是要协助掌握元件特性 12/29 14:43
5F：→ foye0922: 感谢各位 我成功做出来了 12/29 20:33