作者woko (孤.独.一.痕)
看板Electronics
标题Re: [问题] 有实际用gm/id的心得？
时间Fri Jan 8 10:39:47 2016
想请教板上先进
gm/id这个方法现在在业界是很实用或常用的电路设计技巧吗?
我学长在做power ic的
制程都还是.06um/.35um
他说他们部门在设计op或放大器的过程
没有用过gm/id这种手法来估算尺寸
只要知道每个方块能分配的power
再跑一下元件的I-V估算ro和Va以便确认length
最後再用I-V二次式公式就可以确定width
(最後再调补偿跟频率)
请问gm/id这种设计技巧是不是只在先进制程(短通道元件)
或是高速应用才是非用不可的设计方法?
※ 引述《foye0922 (TJ)》之铭言：
: 我实际上针对这个图，扫出所需要的图了，但想问，这种设计方式 是先对 所假设的电流 去扫图，如 固定vd和w扫Vgs 变化时 的各项图。
: 但是否就得先固定自己的vds 和 L，所以假设 我想要设计一颗nmos是
: vds =1v 时先跑vds=1v，一颗mos是vds =1.5时，再跑另一个图。
: 针对我设计的vds去跑图後求得gm/id？不知这样的想法是否正确。
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1F：推 owenroy: 研究所有用过 工作後都直接调了 28nm 01/08 15:22
2F：推 wxes60711: 重点是 二次式不准 要怎麽用二次式去确定width? 01/08 16:02
3F：推 Baneling: 应该是0.6um吧... 0.06um不就60nm吗 算蛮贵的制程吧 XD 01/08 20:16
4F：推 obov: 我直接说惹 这东西除惹帮助理解某制成特性外 01/09 00:44
5F：→ obov: 几乎没用 01/09 00:44
6F：推 chjh20223: OBOV推 01/09 12:11
7F：推 salvatore111: 推obov 01/10 13:01
8F：推 mos888tw: 0.6um制程用这个是用牛刀巴 01/10 17:08
9F：推 iiiikkk: 推obov 01/10 18:19
10F：→ woko: 手残了!是0.6um,打错了~感谢各位的指导..^^ 01/11 09:44
11F：推 waitingB: 算个老半天 corner一撒下去世界都变了 01/12 13:18
12F：推 mos888tw: 个人拙见是可以算 当做一个margin值 但不要真的想每样东 01/12 20:27
13F：→ mos888tw: 西都算得出来 该调还是得知道trend就上了 01/12 20:27