作者hkrist (豆)
看板Electronics
标题[问题] hspice nonconverge的问题
时间Mon Jan 18 11:46:23 2016
小弟之前曾在板上发问过一些hspice的相关问题
因为本是做数位电路为主，所以在hspice的使用上不是很清楚
目前我将一个6T的SRAM cell中上面两个pull up的PMOS其中一个(M4)
http://imgur.com/UMtCvDE
改成非常小的电阻R0(1e-05)，甚至直接拿掉将下面M2的drain接到VDD
在原本没有修改的电路是可以收敛的，但是做了以上修改後就不行了
所以我认为可能问题是出在这个部分，想请问有没有人知道原因或是如何去找出原因?
P.S.我的整个电路架构图是这样:
http://imgur.com/lZuK7dn
图中Core的部分就是放了SRAM的cell array，Leakage Quantizer则是一个震荡器和
counter组成，我猜想的另一个可能是修改後导致震荡器不会收敛
--
※ 发信站: 批踢踢实业坊(ptt.cc), 来自: 220.134.38.56
※ 文章网址: https://webptt.com/cn.aspx?n=bbs/Electronics/M.1453088785.A.A56.html
1F：推 mos888tw: 你可以把电路拆解掉 也可以看一下是哪一个node发散 01/19 21:39
2F：推 rice019: 看一下.ic0的档案,看哪一点没收敛给initial condition 01/20 10:51
3F：推 mos888tw: hspice有bias check 你查一下 写些条件去tigger看哪里散 01/20 18:03