作者highcal24 (Chuck Bartowski)
看板Electronics
标题[问题] Hot carrier 的Isub
时间Mon Feb 1 23:13:47 2016
小弟最近在量测Hot carrier 的Isub值
http://imgur.com/NNTSrjj
想请问一下 长通道的Isub值在vg加大时会掉下来，但是短通道的却不会 想请问为什麽@@
感谢
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1F：推 woko: 可能是不同length的GIDL特性差异造成的吧(乱猜的,参考就好) 02/02 16:25
2F：→ highcal24: 好想知道喔～呜呜 02/02 18:37
3F：推 tim9911564: for long L, impact ionization(II) 发生在drain端， 03/19 07:42
4F：→ tim9911564: 电洞跑到sub让body电位上升, Vt上升，更难Saturation, 03/19 07:42
5F：→ tim9911564: 不利II, 所以IB下降。for short L, 电动易跑道source 03/19 07:42
6F：→ tim9911564: sink掉, body电位不易升 03/19 07:42
7F：推 tim9911564: vg大>linear region>>不会II(这样才对) 03/19 15:11