作者jimmy6247 (Neo)
看板Electronics
标题[问题] 温度越高，费米能阶越靠近Ei?
时间Sun May 15 01:58:11 2016
下面两张图片，都显示在同样参杂浓度下，温度越高费米能阶会越靠近Ei
想问一下这样的趋势原理何在?
http://i.imgur.com/VJWYNiU.jpg
http://i.imgur.com/pq3DEHF.jpg
还请不吝解惑~
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1F：推 deepwoody: 温度越高 越容易ionize dopant 也就是越多载子 05/15 08:26
2F：→ deepwoody: 但是在相同参杂浓度下 载子浓度相同 所以费米能阶在温 05/15 08:27
3F：→ deepwoody: 度高的时候可以靠近Ei 使得不同温度时载子浓度相同 05/15 08:27
4F：推 boson5566: 大略有两个原因 一个是变温的时候 Eg也会随温度变化 05/15 10:52
5F：→ boson5566: 另一个是温度上升 intrinsic的载子浓度增加 05/15 10:53
6F：→ boson5566: 当增加超过你doping的浓度 就会变成由ni dominate 05/15 10:53