各位安安, 最近遇到一个量测上的问题, 量测状况是 hetero junction P+/N diode, P+给0V, 偏压加在N端, 从-2V量到+10V, 第一次量测的时候反向偏压有极大的漏电流, 而同一条件下再量测第二次第三次 反向偏压漏电流明显降低改善(第二跟第三次IV曲线很接近), 想请问各位有没有 遇过类似的问题吗? 同一条件下有些DUT量第一次就没这个问题 我想法猜测(不确定...) 1. 量测前就有 charge 存在diode中, 造成第一次量测有看到明显漏电情形 2. diode表面的介面中有 recombination center, 会影响第一次量测情形, 通过 大电流後介面有annealing效果使得漏电情形改善. 3. 探针跟contact没有紧密结合, 所以过了一次大电流後, 电极金属跟探针结合状况 改善. 请各位板友解惑, 感谢 --

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