作者aladean (打杂工)
看板Electronics
标题[问题] 载子移动率相关问题
时间Tue Aug 23 22:30:33 2016
薄膜材料的载子移动率可以由霍尔量测得到
而做成TFT之後, 从Idson的数值也可以推回去算出得到有效载子移动率
想请教板友
这两种载子移动率有相关性吗???
还是不同状况没法互相比较?
感谢各位回答
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1F：→ MOSHEMT: 霍尔量到跟从电流回推的都是电子迁移率 霍尔量会比较接 08/24 00:26
2F：→ MOSHEMT: 近理想值 用电流回推除了电容值会有影响外 也会受散射影 08/24 00:27
3F：→ MOSHEMT: 影响 载子迁移率会比较低 08/24 00:27
4F：推 yudofu: 多数载子跟飘移是不同的吧 08/24 00:32
※ 编辑: aladean (218.164.43.253), 08/24/2016 20:55:41