作者littleboar (It is time to )
看板Electronics
标题[请益]4156测Ibb,measure range造成mofet 烧掉
时间Fri Sep 23 23:39:48 2016
就是小弟现在遇到一个问题,就是在量测
mosfet Id-Vg时,发现当我的substrate current
measure range设成最1E-9最精密时,在vg快到
Vth时device便会burn out, 当我把rangeg设成
Ibb maximum level时,device便会活,不知道
大家有遇过类似的情形吗？我在网路上找不
到类似的资讯,想不透其中的机制是什麽？
谢谢大家
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1F：推 lisasweet: 因为系统帮你挡下来了~~~~ 09/27 18:58
2F：→ lisasweet: Ibb maximum level时,不会让你无限制超过系统能够负载. 09/27 18:59
3F：→ lisasweet: 但你自设量测range时,系统不挡,所以会烧XD 09/27 18:59