作者curch (curch)
看板Electronics
标题[问题] 正确的理解及计算Cgd
时间Wed Oct 5 23:21:10 2016
Razavi的书写Strong inversion Cgd=0，
MOSFET Modeling & BSIM3 User's GUIDE把这个称作Meyer Model，
物理解释是Pinch off後，Channel Charge不会流到Drain端(Cgd=0)，很直觉很合理。
有些书会写到Short channel後，overlap会变明显，所以Cgd相对变大，这也OK
问题是BSIM3常用的Model有所谓Channel charge partition，
也就是Channel charge是分给Source跟Drain(明显与Meyer抵触)，
出来结果造成Cgd大非常多，大概到Cgs的1/3~1/4，
分析上造成诸多困扰，
想请问各位专家怎麽正确的理解Cgd，
又Channel charge到底会不会流到Drain去。
感谢各位！
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1F：推 ap4318: 从你的问题中学到不少XD 10/06 18:17