作者highcal24 (Chuck Chuck )
看板Electronics
标题[问题] Locos 和 narrow width effect
时间Thu Oct 6 11:45:52 2016
http://i.imgur.com/16pnW5b.jpg
http://i.imgur.com/7sDqg93.jpg
小弟最近看了制程的书，发现locos 和 narrow width effect 的关系
但是仔细看後 发现鸟嘴多出来的地方明明是影响mos的 channel length 阿
如图为何是 narrow width effect ? 影响的地方明明是channel length
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※ 发信站: 批踢踢实业坊(ptt.cc), 来自: 210.61.28.65
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※ 编辑: highcal24 (210.61.28.65), 10/06/2016 11:46:55
1F：→ romjava: Channel length effect 指的是source drain 与Gate 底下 10/06 20:48
2F：→ romjava: 通道效应，此是MOS在操作时Source drain 的空乏区与通道 10/06 20:50
3F：→ romjava: 电荷产生的空乏或反转层来影响电晶体的起始电压threshold 10/06 20:52
4F：→ romjava: Voltage 有关，width 方向是指Gate底下通道到Field oxide 10/06 20:54
5F：→ romjava: 间的鸟嘴会分散通道的电荷，因电荷被分散使的起始电压改 10/06 20:56
6F：→ romjava: 变,称为 10/06 20:56
7F：→ romjava: narrow width effect 10/06 20:56
8F：→ highcal24: 感谢r大，已跪 10/06 21:04
9F：→ highcal24: 所以这里的width和mos的。width 10/06 21:07
10F：→ highcal24: 不是同一个width罗？ 10/06 21:07