电源杂讯到输出的增益 , 说穿了就是 VDD 到 VOUT 的 transfer function, 分析这个东西应该要把所有 path 跟 loop 一起看, 而对於最基本的LDO来说, 其实主要也就一个 loop : 包含了 OP 的 gain stage (Av), resistor ratio (β), 接着经由 power MOS 到 VOUT. 而 path 则是 VDD 经由 power MOS (S->D or D->S) 到 VOUT 的路径. 然後 transfer function = path / 1-loop. Assume 现在是 PMOS type 的 LDO, 那麽 path 的确就是 一个 CG 组态的放大器 (powe MOS的 S 端到 D 端) . 然後 loop 则是 β -> Av -> 再经过一个CS组态的放大器 (power MOS的 G 端到 D 端). 在loop gain 够高的情况下, 刚刚的 TF 约略会等於 path/loop. 因为 CG 跟 CS 的 gain 大小差不多, 相除抵销後, 之後 PSRR 约略就是 1/ (β*Av), 也就是 OP gain 越高, PSRR 就越好. 如果现在是 NMOS type 的 LDO, 那麽 path 就是从 power MOS 的 D 端到 S 端, 这种组态我习惯叫他 CG attenuator, 此时的 input 是 ro , output是 1/gm, 这组态的 intrinsic gain ~ 1/(gmro). 跟 CG amplifer 的方向相反, 并不像你说的一样可以调换.... 因此 path 其实是一个缩小器, 把电源的杂讯变小, 然後 loop 则是 β -> Av -> 再经过 source follower (powe MOS的 G 端到 S 端), 在 TF 约略等於 path/loop 相除之後, PSRR 约等於 1/ (β*Av*gmro), 会比 PMOS type 的 LDO 强一些, 就差在这里多了一个 power MOS 的 attenuated gain. ※ 引述《nick236 (阿嘎)》之铭言： : 以PMOS作为Mp的话 : source端的VDD杂讯对输出增益是gmRo : gate端杂讯对输出增益则是-gmRo : 两者可以相抵销 : 但是以NMOS作为Mp : 以gate端杂讯为输入来看就是source follower : 但是以这时位於drain端的VDD杂讯为输入呢? 他有gain吗? : 因为我们在layout中的Source端Drain端是没有差异的 : 所以我很好奇这时候是否要看成common gate组态 : 但是若看成common gate就不是在饱和区工作了 所以应该没有gain吧 : 我这样想是对的吗-->以NMOS作为power mos是看不到Drain端VDD杂讯的(先不管前面OP) --

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