作者woko (孤.独.一.痕)
看板Electronics
标题[问题]MOS threshold voltage为什麽跟尺寸有关?
时间Sat Oct 15 10:58:14 2016
如题
爬了前面讨论串
好像只有一篇有说到Vth跟MOS尺寸有关
(敎科书上的Vth是简化过的)
但没有再深入讨论下去
请教各位前辈
有这方面的文献可以参考吗?
感谢~~~
p.s.
看了HSPICE的.lis档案
里面的不同偏压以及不同尺寸条件下的Vth
是依据建立model时的test key所fitting出来的吗?
--
※ 发信站: 批踢踢实业坊(ptt.cc), 来自: 49.214.135.172
※ 文章网址: https://webptt.com/cn.aspx?n=bbs/Electronics/M.1476500296.A.7E0.html
※ 编辑: woko (49.214.135.172), 10/15/2016 11:01:37
1F：推 w3dB: 虽然我不是半导体专业 不过你画个MOS剖面 想一下Vth是怎麽形 10/15 11:28
2F：→ w3dB: 成 应该就会有一个直观的想法惹 10/15 11:28
是指形成反性层所需的电压跟需要"清空"的多数载子有关吗?
不过为什麽教科书上所列的的Vth公式都没有MOS尺寸的参数呢?
(教科书=>Smith第六版 & Razavi的Analog CMOS IC Design)
有相关文献可以提供参考吗?
※ 编辑: woko (49.214.135.172), 10/15/2016 12:53:06
3F：推 Samael: 最後一句话是大哉问 10/15 13:00
4F：推 Baneling: 这问题探讨起来太深了, 光浓度跟能阶这种东西的问题,不 10/15 15:28
5F：→ Baneling: 同尺寸的电晶体怎麽可能会是一样的 -.- 如果是设计电路 10/15 15:29
6F：→ Baneling: 我倒觉得这些东西当作前提或知识就好.. 10/15 15:29
7F：推 cpyi: non uniform dopping 10/15 22:28
8F：→ cpyi: 这不深 算常识 10/15 22:33
9F：→ lovealgebra: Google flat band voltage 10/17 17:57