作者sovereignty ( )
看板Electronics
标题Re: [问题]MOS threshold voltage为什麽跟尺寸有关?
时间Sat Oct 15 13:53:38 2016
※ 引述《woko (孤.独.一.痕)》之铭言:
: 如题
: 爬了前面讨论串
: 好像只有一篇有说到Vth跟MOS尺寸有关
: (敎科书上的Vth是简化过的)
: 但没有再深入讨论下去
: 请教各位前辈
: 有这方面的文献可以参考吗?
: 感谢~~~
: p.s.
: 看了HSPICE的.lis档案
: 里面的不同偏压以及不同尺寸条件下的Vth
: 是依据建立model时的test key所fitting出来的吗?
从 Vth 的操作型定义来想很直观 (foundry 实际量测都是
用操作型定义,因为 advanced node 非理想因素太多了。)
最简单的是 constant current 法,如 Vth_lin, Vth_sat
就是在 linear, saturation 偏压下对 Id-Vg log scale
切一条 constant current Ith0,对应到的偏压就是 Vth,
但不同尺寸的 MOSFET 电流不同 (和 W / L 成正比),为了
normalize,所以这个 constant current 会变成
Ith0 * W / L,既然取的定电流会随尺寸改变,Vth 自然
也就和尺寸有关。
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1F:推 zxcvbnrt: 请问一下 Ith0是要自己定义的吗? 11/09 14:52