作者hkrist (豆)
看板Electronics
标题[问题] 电路及spice模拟结果问题
时间Fri Oct 21 19:57:45 2016
小弟使用nanosim去模拟下图的电路
http://i.imgur.com/hZW0ybj.jpg (1)
此电路有一个switch经由EN来控制是否开启中间的电流镜
依照开启或不开启可以得到下面两个理想上简化後的电路
(没有将PMOS的等效电阻画出，但实际上应该要存在)
http://i.imgur.com/PdERdyd.jpg (2)
http://i.imgur.com/ZuAAS3s.jpg (3)
我希望Core和上面PMOS之间的节点(a)电压可以落在1V左右
当我将VDD设为1.1V时，图2电路中原a点的电压値约为0.85V左右
而将VDD提升至1.2V时，此时a点电压値又会直接飙到趋近1.2V
中间我曾试过使用1.15V，而结果a点电压値也是会跑到将近1.15V
可以发现VDD从1V升到1.15V时，a点的电压値会直接从0.85V飙升到1.15V
就好像VDD在1V和1.15V中间有个gap或说是断层
但a点电压值的变化在理论上不是应该维持线性吗?
或是有哪些我没考虑到的变因呢?
还请有经验的板友们给予指教，谢谢！
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※ 发信站: 批踢踢实业坊(ptt.cc), 来自: 220.134.38.56
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1F：推 kk123: EN='1' 电路 Floating? 10/21 21:02
抱歉，第1张图的电路有画错，应该是EN进来後会先经过inv再接到PMOS和NMOS的Gate端
下面两张简化後的电路才是实际应该出现的情形
※ 编辑: hkrist (220.134.38.56), 10/22/2016 17:34:58
2F：推 Baneling: core是什麽电路...？ 电流如果会变，电压会跑也很正常 10/23 01:50
3F：→ hkrist: 我这里使用的电路是SRAM 10/23 17:23
4F：→ hkrist: 这样的结果是正常的吗？ 10/23 17:23