作者jjosh2134 (ratual)
看板Electronics
标题[问题] 请教mos操作的问题
时间Mon Nov 14 09:12:23 2016
大家好
小弟有个很基本的问题困扰我蛮久的
就是当mos在操作的时候
通道pinch off点到source端中间会有一个反偏的空乏区
记得反偏的pn junction是没办法有明显电流通过，操作电压也还没到崩溃电压
在一些地方 我们也会用反偏来做device的isolation
那电子是怎麽穿过空乏区到达source端呢 电场吗
谢谢
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1F：推 cpyi: npn上面的junction也是反偏 电子因为空乏区的电场会快速通 11/14 13:17
2F：→ cpyi: 过junction mos原理亦同 11/14 13:17