作者asv52330 (ka78901z)
看板Electronics
标题TCAD 跑I-V曲线问题
时间Wed Nov 30 15:56:49 2016
各位版大好
小弟对於TCAD模拟id-vg曲线有些问题
软体是新竹国高中心申请来的
目前元件结构已经画好
现在就是要用sdevice去跑i-v曲线
问题点是我跑id-vd曲线没有问题
但id-vg曲线会有如图上类似杂讯的问题？？
请问这是我少开到什麽电性model、还是物理或数学模型有设错…
但是我跑id-vd没有问题
请各位版大高抬贵手 感谢
另外想再请问
sdevice里 interations的设定代表什麽意思
在math部分设定interations
与solve部分设定interations
分别代表什麽意义？
小弟才疏学浅，麻烦各位大大了 感谢
http://i.imgur.com/E53uqYc.jpg
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1F：→ kn930121: 看起来蛮正常的阿 你说的杂讯是指off-sata的漏电流吧?12/03 13:06
版大你好
因为我的元件结构在低电流下能看出它的特性分布，我有看过很多其他paper ,也是用TCA
D去模拟，他们都能清楚看出off状态的特性(不会有这种类似杂讯的问题)，所以版大，这
有解决方法吗，还是就是漏电流问题呢～
※ 编辑: asv52330 (114.137.243.160), 12/03/2016 15:19:56