作者jfsu (水精灵)
标题Re: [问题] 请问Flash的page/sector erase..
时间Thu Jun 22 00:17:07 2017
※ 引述《fakenews (贾欣雯)》之铭言：
: 最近碰到一些问题不是很明白
: 元件在测试flash"Page erase"的时候因为Disturb导致fail
: (先经过cycling读写一定次数)
: 不过老板说一般flash都是"Sector erase"
: 请问这两种要怎麽区分?
: 由於在做制程相关接触这方便比较少..
: 请问有推荐的书籍或是研究方向吗?
NOR flash: chip erase, block erase, half block erase, sector erase
NAND flash: chip erase, block erase
NOR的最小单位是Sector,NAND是Block，应该没有所谓的没有page erase
规格表上也没有page erase。
请问，你所谓的page erase，page是多少byte?耗时多少呢?哪一家的Spec.
我很好奇~
如果真的切到page来做erase...那邻近的page或是sector会有很严重的disturb
因为是相同的well，搞不好连refresh都没办法救，而且chip size会撑得很大。
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※ 编辑: jfsu (180.177.15.128), 06/22/2017 00:19:24
1F：推 mmonkeyboyy: 我只有在测试片看过有 page erase的 06/22 07:37
2F：→ mmonkeyboyy: 基本上没有人做 价钱差太多了 06/22 07:38
3F：→ mmonkeyboyy: 另一种就是 embedded上面的会有 06/22 07:39
4F：推 fakenews: 几乎都被monkeyboy说中 TAG上的Embedded eflash测试chip 06/22 20:15