※ 引述《jfsu (水精灵)》之铭言： : ※ 引述《fakenews (贾欣雯)》之铭言： : : 最近碰到一些问题不是很明白 : : 元件在测试flash"Page erase"的时候因为Disturb导致fail : : (先经过cycling读写一定次数) : : 不过老板说一般flash都是"Sector erase" : : 请问这两种要怎麽区分? : : 由於在做制程相关接触这方便比较少.. : : 请问有推荐的书籍或是研究方向吗? : NOR flash: chip erase, block erase, half block erase, sector erase : NAND flash: chip erase, block erase : NOR的最小单位是Sector,NAND是Block，应该没有所谓的没有page erase : 规格表上也没有page erase。 : 请问，你所谓的page erase，page是多少byte?耗时多少呢?哪一家的Spec. : 我很好奇~ : 如果真的切到page来做erase...那邻近的page或是sector会有很严重的disturb 我想会不会是checkboard资料型态写入後,erase不乾净直接影响到隔壁的WL? : 因为是相同的well，搞不好连refresh都没办法救，而且chip size会撑得很大。 确实是一颗Embedded NV Flash Memory, eFLASH 128kB,测试条件是先cycling 10K後 "Program 1 page (checkboard) per sector, background erased"(看不懂..) 另外对eFLASH的一些定义: Max module size 256kB Write time(page/block) 1ms Erase time(byte/page/blocl) 100ms Endurance 10k/page, 150k/sector --

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