作者fakenews (贾欣雯)
看板Electronics
标题Re: [问题] 请问Flash的page/sector erase..
时间Thu Jun 22 20:11:18 2017
※ 引述《jfsu (水精灵)》之铭言:
: ※ 引述《fakenews (贾欣雯)》之铭言:
: : 最近碰到一些问题不是很明白
: : 元件在测试flash"Page erase"的时候因为Disturb导致fail
: : (先经过cycling读写一定次数)
: : 不过老板说一般flash都是"Sector erase"
: : 请问这两种要怎麽区分?
: : 由於在做制程相关接触这方便比较少..
: : 请问有推荐的书籍或是研究方向吗?
: NOR flash: chip erase, block erase, half block erase, sector erase
: NAND flash: chip erase, block erase
: NOR的最小单位是Sector,NAND是Block,应该没有所谓的没有page erase
: 规格表上也没有page erase。
: 请问,你所谓的page erase,page是多少byte?耗时多少呢?哪一家的Spec.
: 我很好奇~
: 如果真的切到page来做erase...那邻近的page或是sector会有很严重的disturb
我想会不会是checkboard资料型态写入後,erase不乾净直接影响到隔壁的WL?
: 因为是相同的well,搞不好连refresh都没办法救,而且chip size会撑得很大。
确实是一颗Embedded NV Flash Memory, eFLASH 128kB,测试条件是先cycling 10K後
"Program 1 page (checkboard) per sector, background erased"(看不懂..)
另外对eFLASH的一些定义:
Max module size 256kB
Write time(page/block) 1ms
Erase time(byte/page/blocl) 100ms
Endurance 10k/page, 150k/sector
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1F:推 mmonkeyboyy: 你有同时接了一堆东西在量测吗? 06/22 21:16