※ 引述《fakenews (贾欣雯)》之铭言： : ※ 引述《jfsu (水精灵)》之铭言： : : NOR flash: chip erase, block erase, half block erase, sector erase : : NAND flash: chip erase, block erase : : NOR的最小单位是Sector,NAND是Block，应该没有所谓的没有page erase : : 规格表上也没有page erase。 : : 请问，你所谓的page erase，page是多少byte?耗时多少呢?哪一家的Spec. : : 我很好奇~ : : 如果真的切到page来做erase...那邻近的page或是sector会有很严重的disturb : 我想会不会是checkboard资料型态写入後,erase不乾净直接影响到隔壁的WL? Sorry，原来是eFlash..没做过，目前只碰过NOR/NAND 凭你的内文，这是我推想的图。 ╔═════════════╗ ║┌───────────┐║假设一个sector是由一些page组成。一个page上， ║│ page0 WL→ΣΣ..ΣΣ │║由一条WL接很多个cell(Σ) ║└───────────┘║ ║┌───────────┐║外面的双线框表示sector的n-well ║│ page1 WL→ΣΣ..ΣΣ │║ 单线框表示page的p-well ║└───────────┘║ ║┌───────────┐║ ║│ page2 WL→ΣΣ..ΣΣ │║关於disturb是这样的: ║└───────────┘║当page0做erase，WL可能0V或负压，sector的n-well ║ sector ║会接正高压(FN-tunneling)此时，没有选到的page1 ╚═════════════╝与page2虽然WL是0V，但因为是共well所以会有电压， 这就会造成资料可能会lose 你做越多次，disturb会变得严重，在某个cycling次数内，cell '0'的Vt会减少 而'cell 1'的Vt会增加 如果没有做refresh，会更严重，soft program并非用来对付这种disturb 以上是把各别page的well切开，倘若是绑一起，那应该会更惨。 这种disturb没得解，只有尽可能减少所造成的影响。 : : 因为是相同的well，搞不好连refresh都没办法救，而且chip size会撑得很大。 : 确实是一颗Embedded NV Flash Memory, eFLASH 128kB,测试条件是先cycling 10K後 : "Program 1 page (checkboard) per sector, background erased"(看不懂..) : 另外对eFLASH的一些定义: : Max module size 256kB : Write time(page/block) 1ms : Erase time(byte/page/blocl) 100ms : Endurance 10k/page, 150k/sector --

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