作者DynaxYoung (戴涅克斯)
看板Electronics
标题Re: [问题] 快闪记忆体 SLC VS MLC
时间Tue Jul 11 14:00:58 2017
※ 引述《eton821002 (Eton)》之铭言：
帮友人代PO
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已知MLC可以透过只灌Low page的方式来完成SLC mode。
目前有个问题想问，假设这颗MLC的某个block已经达到了他的PE极限(3000)，
若我将这个block转成SLC mode 那麽他还能再经过多少次的PE呢?
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Flash 失效的原因之一(实际上更多种 勿战)
无法辨识电位 (可能因为FG穿隧太多次而导致结构破损漏电损失电位)
以上为前言
当失效形成时 MLC 无法维持写入当下的4种电位 (因为漏电)
利用工具改成 只分辨2种电位
并无实质上的改善 漏电就是漏电
维持能够被辨识的电位时间长短差异而已
如果资还要很珍贵 建议不要这麽做
这只是其中一种失效模式(只考虑漏电因素) 实际上更复杂
应该能用主控的错误校正来降低失误
帮助有多大就考验主控性能与人品了
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