作者koop (2011新开始)
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标题[请益] 功率电晶体是否可以双向电流导通?
时间Wed Jul 19 17:13:04 2017
大家好:
今天开完会跟它人讨论时有个疑问，想在这请教一下大家
功率电晶体(power mos)turn on时，其电流是否可以从通道双向导通?(非body doide)
不同意的人说因为DS结构不对称，所以只能单向电流，
若要反向电流的话，只能power mos turn off时走body diode
如果是这样 反向大电流时效率不是很差吗?
想请问一下大家的想法 感激不尽 : )
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1F：推 HiJimmy: 用TRIAC??? 07/19 17:48
2F：→ wnmin: 同步buck的下臂MOS就是操作在反向电流 07/19 18:52
3F：→ wnmin: 效率比用二极体更高 07/19 18:53
4F：→ p20162: 当然可以啊 07/19 18:54
5F：→ leonyun: 原来机械手臂是用mos驱动的 07/19 19:14
6F：推 xuptjo: why not 07/19 19:35
7F：推 nissptt: 不是同一种臂啦！ 可惜我也不懂。 07/19 20:10
8F：推 nissptt: 借问wnmin大，所以下臂mos不能乱替代罗？一般来说我都只 07/19 20:29
9F：→ nissptt: 看耐压耐流，电阻低，最多高频环境要求寄生电容要小，就 07/19 20:29
10F：→ nissptt: 乱入了。要看pdf档的什麽部份，才能知道某颗mos能擅长在 07/19 20:29
11F：→ nissptt: 反向电流的。感谢。 07/19 20:29
12F：→ wnmin: 就我理解 电流不管是正还是反mos的Ron都是相同的啊 07/19 21:38
13F：推 viniminghao: ron是vgs决定的，导通损失看ron。切换损失看C值。 07/19 22:42
14F：推 nissptt: 喔，我先消化一下，会再提问的。感谢。 07/19 23:11
15F：→ koop: 单颗MOS可以双向导通，那何必用body diode来降低效率呢? 07/20 13:07
16F：→ koop: 两颗MOS串接，body diode反向，off时body diode就不会流电流 07/20 13:11
17F：推 nissptt: koop大说的，就是一部份我要问的，我用两个耐高电压的mos 07/20 14:23
18F：→ nissptt: 背靠背，这样，功能与SSR相同，接mcu遥控110AC电风扇和电 07/20 14:23
19F：→ nissptt: 灯也正常，整个元件压降也没大SSR多少。这样接"等效"会 07/20 14:23
20F：→ nissptt: 有其他衍生问题吗？那SSR为什麽那那麽贵？是因为(发电隔 07/20 14:23
21F：→ nissptt: 离的)光耦吗？SSR不能太高频，mos背靠背好像好一点。 07/20 14:23
22F：推 W28327688: 在Isd*Ron<Vf时，电流都会走MOS通道，超过Vf就会变成两 07/20 15:35
23F：→ W28327688: 条路径分流 07/20 15:35
24F：推 W28327688: 两个MOS串联，除了cost增加和gate driver要改之外，热 07/20 16:11
25F：→ W28327688: 源增加，如果散热不足，也可能会影响电解电容寿命。 07/20 16:11
26F：推 bary123: 当然可以啊 不然同步整流的架构是怎麽做的 07/20 19:57
27F：推 yudofu: 两个MOS背靠背叫做ideal diode，这是非常常见的东西 07/20 21:12
28F：→ koop: 「若有效率考量，其实根本不希望body diode导通」 07/20 21:22
29F：→ koop: 请问各位，可以这样理解吗? 07/20 21:23
30F：推 nissptt: 这个，我资质驽钝又不是相关科系，要时间或实作消化理解 07/20 23:15
31F：→ nissptt: 一下。 07/20 23:15
32F：推 nissptt: 可是，跟以往一样，问题越问越低级。关於效率考量，在小 07/20 23:20
33F：→ nissptt: 电流场合(例如0.1~0.2A)也通用吗？ 07/20 23:20
34F：推 nissptt: 第二，对於rds1~2欧姆等级的mos(不是毫欧)会有不同考量 07/20 23:28
35F：→ nissptt: 吗？ 第三，body diode通常在什麽情况下会死翘翘。我好 07/20 23:28
36F：→ nissptt: 像弄死过一颗1404的。可是外加的4A飞轮diode没死。 07/20 23:28
37F：推 W28327688: Isd^2*Ron和Isd*Vf谁比较小走谁，效率就比较好啊！ 07/20 23:34
38F：推 nissptt: 谢谢，笔计! 07/20 23:40
39F：推 nissptt: 这样，大rds On考量果然有点不同。有一次不想浪费IXFK36N 07/20 23:50
40F：→ nissptt: 60,丑丑的并联了3颗杂牌降rds, 还觉得自己毛很多，现在想 07/20 23:50
41F：→ nissptt: 想，好像也是条路。 07/20 23:50
42F：推 guaroro: body diode是一定存在的，可以找基本MOS的cross section 07/21 00:45
43F：→ guaroro: 来看，体会一下那个感觉，如果是高压的MOS就找LDMOS 07/21 00:45