作者gir26354 (呵呵)
看板Electronics
标题[讨论] MOSFET Gate Charge Loss
时间Thu Sep 7 21:39:40 2017
最近在看MOSFET的效率
看到一个是Gate Charge loss有个小疑问
给的公式为Ploss=Qg*Vgs/Ts
Vgs很直观就是闸极与源极所施的驱动电压
Qg为在MOS从开启到闭合或闭合至开启所储存/放出的电荷量
我的解释为因为他给的是电荷量，我要算他的功耗，因为他电位差为Vgs
则利用W=Q*V P=W/t 得到上式
而不是利用电容器平行极板的P=0.5*Q*V*t
请问我这样说明适当吗 如果有错请指教 谢谢
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1F：→ marsplanet: 是乘Ts吗?不是fsw?09/07 22:10
2F：推 mynameisamik: 第二个公式一个周期一充一放*2?09/07 23:23
3F：→ gir26354: 不好意思 上面打错是/Ts 另外P=W/t09/07 23:45
※ 编辑: gir26354 (220.137.93.27), 09/07/2017 23:45:58
4F：→ gir26354: 用第二个公式怪点是在放电时vgs为0 他本身电荷放电 一 09/07 23:48
5F：→ gir26354: 般来说不会算是损耗 09/07 23:48
6F：推 kkaa02206: 一个理想RC充电的电路 把C从跨压零到完全充饱的过程效 09/09 00:29
7F：→ kkaa02206: 率只会有50% 一半的能量会耗在电阻 只有一半的能量会存 09/09 00:29
8F：→ kkaa02206: 在电容上 用这样去想应该就通了 09/09 00:29
9F：→ gir26354: K大这个说法是什麽意思 不太懂 09/09 23:19